电子束光刻系统 CABL-AP（50kV）series-进口设备

新设备：电子束光刻系统 CABL-AP（50kV）series；制造商：日本制造商

简介：它也是适用于各种应用的学术和研发模型，并且是适合用于通信用半导体激光器的DFB-LD生产的生产模型。我们实现了50kV的高分辨率和高吞吐量。光束直径: <nmΦ (for Academic and R&D)< 3 nmΦ (for Production)相关电压: 50kV, 30kV、作业平台尺寸: 4寸，6寸，8寸晶圆型号。

特色： TFE 50kV、高分辨率与100kV相同、通过专门设计的激光干涉仪长时间进行高精度针迹写作、多用户环境（PC控制EOC = 配方）、自我控制 - 隔绝噪音及热影响灵活的书写方法（向量，向量R-θ，光栅，斑点，轴对称，场尺寸调制，多重模式，3D结构。

产品规格：

1、Electron Emitter/Acceleration voltage：TFE(ZrO/W)/5～50kV

2、Min. beam diameter 2.0nm (for Academic and R&D)：3.0nm (for Production)

3、Scan method：Vector scan (x，y) (Standard)、Vector scan (r，θ), Raster scan，Spot scan (Optional)

4、Advanced lithography functions (Optional)：Field size modulation lithography，axial symmetry pattern lithography

5、Field size：30μm□ - 1000μm□ (50kV) (for Academic and R&D)、30μm□ - 1500μm□ (50kV) (for Production)

6、Work piece size：4，6，8inchΦ

7、CAD software：Dedicated CAD (Standard), GDSⅡconversion (Optiional), DXF conversion (Optional)

8、OS：Windows

兼职销售二手半导体相关进口设备，全新半导体设备，欢迎咨询：18938163036

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