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电子束光刻系统 CABL-AP(50kV)series-进口设备

作者:心静来源:半导体网址:http://www.qclean.com.cn

新设备:电子束光刻系统 CABL-AP(50kV)series;制造商:日本制造商

简介:它也是适用于各种应用的学术和研发模型,并且是适合用于通信用半导体激光器的DFB-LD生产的生产模型。我们实现了50kV的高分辨率和高吞吐量。光束直径: <nmΦ (for Academic and R&D)< 3 nmΦ (for Production)相关电压: 50kV, 30kV、作业平台尺寸: 4寸,6寸,8寸晶圆型号。

特色: TFE 50kV、高分辨率与100kV相同、通过专门设计的激光干涉仪长时间进行高精度针迹写作、多用户环境(PC控制EOC = 配方)、自我控制 - 隔绝噪音及热影响灵活的书写方法(向量,向量R-θ,光栅,斑点,轴对称,场尺寸调制,多重模式,3D结构。

产品规格:

1、Electron Emitter/Acceleration voltage:TFE(ZrO/W)/5~50kV

2、Min. beam diameter 2.0nm (for Academic and R&D):3.0nm (for Production)

3、Scan method:Vector scan (x,y) (Standard)、Vector scan (r,θ), Raster scan,Spot scan (Optional)

4、Advanced lithography functions (Optional):Field size modulation lithography,axial symmetry pattern lithography

5、Field size:30μm□ - 1000μm□ (50kV) (for Academic and R&D)、30μm□ - 1500μm□ (50kV) (for Production)

6、Work piece size:4,6,8inchΦ

7、CAD software:Dedicated CAD (Standard), GDSⅡconversion (Optiional), DXF conversion (Optional)

8、OS:Windows

电子束光刻设备.png


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