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新闻详情

Ø200mm 兼容曝光机 MA-4301M 日本进*口

作者:心静来源:半导体网址:http://www.qclean.com.cn

新设备:Ø200mm 兼容曝光机 MA-4301M;制造商:日本制造商

简介:

主要特长:利用本公司独创的高速图像处理技术, 实现了Wafer与掩膜的高精度对位。装载机侧和卸载机侧最多可设置两个篮具(选购项)。备有冷却机构,可进行基板台与掩膜的温度管理(选购项)。搭载本公司独创的镜面光学系统爆光灯房(LAMP HOUSE)。


从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。搭载非接触预对位系统(PREALIGNER)。从而实现了高精度进给且保证基板不受任何损伤。搭载有自动掩膜更换机。并可支持掩膜存放库。

主要规格:

1、Wafer材料:Si,Glass

2、Wafer尺寸:Φ6″ × t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm、Φ8″ × t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm

3、节拍时间:Proximity exposure:19 s/wafer、(One parallelism compensation per lot)

4、间隙:1 to 200 μm Servo motor、Setup resolution:1 μm

5、对位精度:自动对位:+/- 1 μm(Peak search)

6、尺寸・重量:本体尺寸:W 1800 × D 1650 × H 2015 mm

7、总重量(including lamp house):1400 kg

8、曝光方式:Soft contact exposure、Hard

contact exposure、Proximity exposure

兼容曝光机.png


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